مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون

• عنوان لاتین مقاله: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector on Si CMOS Platform
• عنوان فارسی مقاله: مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون با تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى سیلیکونی.
• دسته: برق و الکترونیک
• فرمت فایل ترجمه شده: فایل Word ورد 2007 یا 2003 (Docx یا Doc) قابل ویرایش
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 24
• جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
• ترجمه سلیس و روان مقاله آماده خرید است.

خلاصه

طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI) (منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که به طور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی "نخست-الکترونی و سپس-فوتونی" ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موج بر سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک به طور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -1. 0 v کار می کند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریانIdark کمتر از ∼0. 57میکرو آمپر می باشد؛ در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی 1 میکروآمپری متناوب که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد.   پاسخدهی بسیار سریع ∼0. 92 A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج 1550 نانومتر به دست آمده است، که درای بازده کوآنتومی 73% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼24. 4 ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در 3- dB با پهنای باند 11. 3 گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی 2^7-1)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) 8. 5 گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، به دست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (800 درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکونبرای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.

• فرمت: zip
• حجم: 5. 98 مگابایت
• شماره ثبت: 411