ترجمه مقاله جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى نیمه هادى

عنوان انگلیسی مقاله: 1-Bit Sub Threshold Full Adders in 65nm CMOS Technology

عنوان فارسی مقاله: جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى65 نانومتری.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: فایل Word ورد 2007 یا 2003 (Docx یا Doc) قابل ویرایش

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 13

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه سلیس و روان مقاله آماده خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده

در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0. 3V نشان میدهد.  

ادامه دارد (Full-text)