ترجمه مقاله تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم

عنوان انگلیسی مقاله: Dopant-Independent and Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications

عنوان فارسی مقاله: تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: فایل Word ورد 2007 یا 2003 (Docx یا Doc) قابل ویرایش

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 11

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه سلیس و روان مقاله آماده خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده

در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.  

ادامه دارد (Full-text)