ترجمه مقاله تک لایه یونی خود مونتاژ برای مقاومت کم در ساختار همسطح-جوهر افشان چاپ، ترانزیستور آلی لایه نازک
رشته: برق
Ionic self-assembled monolayer for low contact resistance in inkjet-printed coplanar structure organic thin-film transistors
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
چکیده:
برای کاهش مقاومت در ترانزیستور آلی با یک لایه نازک-جوهر افشان چاپ (OTFTs)، استفاده از یونی مونولایه خود مونتاژ تازه ساخته شده (SAM) متشکل از یک گروه لنگر، یک گروه لینکر، و گروه عاملی یونی، مورد بررسی قرار می گیرد. با توجه به روش خط انتقال (TLM) اندازه گیری از یک سری از دستگاه های OTFT، که در آن یک نوع لایه تزریق بار وجود ندارد، همراه با نوع دیگری از یک لایه تزریق پنتا فلورو بنزن تیول PFBT که وجود دارد، و نوع سوم شامل یک (6- مرکاپتو هگزیل تری متیل آمونیوم بروماید (MTAB) یونی SAM، با پایین ترین پایین ترین مقدار مقاومت تماس 3٫1 KQ سانتی متر است انجام می شود. OTFTs بدون لایه تزریق بار و با PFBT SAM ارزش مقاومتی نسبتا بالاتر از 6٫4 KQ سانتی متر و 5٫0 KQ دارد. مقاومت کاهش می یابد در OTFTs بار یونی SAMs به چگالی حامل بار ناشی از SAM یونی، اجازه می دهد تا تزریق تونل کمک کافی را از حامل الکترود فلزی به پلیمر نیمه هادی داشته باشد. این نتایج نشان می دهد که استفاده از لایه یونی تزریق SAM یک راه موثر برای کاهش مقاومت می باشد، از این رو بهبود ویژگی های انتقال مسئول OTFTs-جوهر افشان چاپ را خواهیم داشت.
کلید واژه ها: ترانزیستور لایه نازک آلی، مقاومت در برابر تماس با سطح اصلاح، روش خط انتقال
To reduce the contact resistance in inkjet-printed organic thin-film transistors (OTFTs) , the use of a newly synthesized ionic self-assembled monolayer (SAM) consisting of an anchoring group, a linker group, and an ionic functional group, is investigated. According to the gated transmission line method (TLM) measurements of a series of OTFT devices, where one type has no charge injection layer, another type having a pentafluorobenzenethiol (PFBT) injection layer, and a third type containing a (6-mercaptohexyl) trimethylammonium bromide (MTAB) ionic SAM, the latter exhibits the lowest contact resistance value of 3. 1 K X cm. The OTFTs without charge injection layer and with the PFBT SAM have relatively higher contact resistance values of 6. 4 K X cm and 5. 0 K X cm, respectively. The reduced contact resistance in the OTFTs with ionic SAMs is attributed to the large charge carrier density induced by the ionic SAM, which allows sufficient tunneling-assisted injection of the carriers from the metal electrode to the polymer semiconductor. These results suggest that the use of appropriate ionic SAM injection layer is an effective way to reduce the contact resistance, hence improving the charge transport characteristics of inkjet-printed OTFTs.
