ترجمه مقاله سرکوب مقاومت دسترسی با استفاده از الکترودهای کربن در ترانزیستورها آلی بر روی آلکیل جایگزین thieno صحنه بر این اساس

رشته: برق

Suppression of access resistance using carbon electrodes in organic transistors based on alkyl-substituted thienoacene

جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید

چکیده:

مقاومت پایین تماس با ترانزیستور آلی بر اساس dihexyl جایگزین بنزو قرار گرفته است و در [D، D ‘] تماس با thieno، خواهد بود و به طور قابل ملاحظه ای با استفاده از الکترودهای کربن کاهش می یابد. در طلا ترانزیستور از بالا، مقاومت را افزایش می دهد و متناسب با ضخامت نیمه هادی با توجه به مقاومت در برابر دسترسی خواهدبود، در حالی که عملکرد ترانزیستور کربن الکترود به شدت به ضخامت لایه فعال بستگی ندارد. این تزریق بار جانبی از سمت الکترود کربن با ضخامت نسبت داده می شود.

کلید واژه ها: ترانزیستور آلی، مقاومت در برابر تماس با، مقاومت در برابر دسترسی، تزریق بار، مشتقات  Thienopyridine 

Contact resistance of bottom-contact organic transistors based on dihexyl-substituted dibenzo [d,d0 ] thieno [3,2-b;4,5-b0 ]dithiophene is reduced substantially using carbon electrodes. In the Au top-contact transistors, the contact resistance increases proportionally to the semiconductor thickness owing to the access resistance, whereas the performance of the carbon-electrode transistors does not depend strongly on the active-layer thickness. This is attributed to the lateral charge injection from the side of the thick carbon electrode. 20

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید