رشته:معماری / عمران
از نخستین روزی که بشر به ساخت سرپناه برای خود پرداخت، به این موضوع اندیشید که چگونه فضای زندگی خود و به خصوص دیوارها را تزیین نماید که نتیجه آن به ابداع دیوارپوش های متفاوت گردید. دیوارپوش ها را می توان به طور کلی به دو دسته دیوار پوش های خارجی و داخلی تقسیم کرد.
دیوار پوش های خارجی
این نوع دیوارپوش ها باید از لحاظ پایداری بسیار مقاوم بوده و در برابر عوامل محیطی مانند تابش مستقیم نور خورشید و بارندگی و سایش مقاومت خوبی از خود نشان دهد. از این دسته دیوارپوش ها می توان به موارد زیر اشاره کرد:
آجر، سیمان، سنگ، شیشه، ورق های کامپوزیت و …
در استفاده از دیوارپوش های خارجی علاوه بر مقاومت باید جنبه زیبایی را نیز در نظر گرفت که امروزه با تلفیق این دیوارپوش ها طرح های زیبایی به دست می آید.
رشته: مکانیک
Mechanical behavior analysis of size-dependent micro-scaled functionally graded Timoshenko beams by strain gradient elasticity theory
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
چکیده
در این مقاله، یک فرمول وابسته به اندازه برای توسعه Timoshenko به پرتوهای مواد هدفمند (FGM) ارائه شده است. فرمول توسعه یافته بر اساس نظریه گرادیان فشار با یک نظریه زنجیره های غیر کلاسیک قادر به جذب اندازه اثر در ساختار میکرو کوچک خواهد بود. پنج پارامتر جدید مقیاس طول معادل به عنوان توابع پارامترهای مقیاس طول اجزاء معرفی شده و نشان داده شده است که ایستایی و پویایی رفتار وابسته به اندازه FG میکرو تیرها با استفاده از این مقیاس طول معادل توصیف خواهد بود. معادلات دیفرانسیل حرکت و هر دو مجموعه کلاسیک و غیر کلاسیک از شرایط مرزی برای گرادیان فشار پیشنهاد پرتو FG Timoshenko به استفاده از روش وردشی مشتق شده است. مطالعات موردی، استاتیک تغییر شکل خم و ارتعاش آزاد از مدل های جدید برای FG پرتو ساده ساخته شده از jcopper تنگستن (WjCu) بررسی شده است. نتایج حاصل از مدل جدید به کسانی ارائه می شود، که از استرس چند اصلاح و تئوری های کلاسیک در دو نظریه دوم موارد خاص از تئوری گرادیان فشار مقایسه می شوند.
کلید واژه ها: هدفمند، اثر اندازه گیری microbeam , نظریه گرادیان کرنش, پارامترهای معادل مقیاس طول
رشته: برق
Research of Online Detection of Routing Transmission Errors of NoC
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
چکیده
همراه با ترانزیستور واحد سطح را در مجتمع سازی و در مقیاس بزرگ (LSI) به طور گسترده خواهیم داشت، شبکه بر روی تراشه (NOC) قابل اطمینانی طراحی شده و به طور گسترده تغییر خواهد کرد. این مقاله در خطا بسته به مسیریابی روش تشخیص مسیر انتقال متمرکز شده است. تشخیص قبل از مسیریابی، تشخیص بعد از مسیریابی، و تشخیص در هسته می باشد: با توجه به ویژگی های خطا، ما سه روش های تشخیص و آزمون تشخیص آنلاین را ارائه خواهیم کرد. ما مدل خطای انتقالات اخیرا را برای سه روش جریان طراحی شده داریم.
رشته: برق / کامپیوتر
Design and Implementation of Dynamic Reliable Virtual Channel for Network-on-Chip
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
چکیده:
مسئله قابلیت اطمینان مانند طراحی متحمل خطا به عنوان soft error (خطای نرم افزاری) به علت اندازه گیری تکنولوژی IC می باشد، ولتاژ منبع تغذیه پایین و اثرات حرارتی سنگین، منجر به یک چالش در زمینه NoC ((Network-on-Chip) شبکه بر روی تراشه) شده است . روتر یکی از عناصر هسته (core) از NoC، و کانال های مجازی بر اساس فلیپ فلاپ می باشد، و شلوغترین منطقه عنصر حساس soft error، روتر است. تمرکز بر این مشکل قابل اعتماد معماری کانال مجازی پویا را شکل می دهد که در این مقاله ارائه شده است.
رشته: پزشکی
Low Back Pain
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
کمر درد
شما تنها کسی نیستید که احساس کمر درد می کنید. حدود 80 درصد از بزرگسالان تجربه کمر درد در بعضی از زمانها را در طول عمر خود دارند. این شایع ترین علت ناتوانی ناشی از کار بوده و عاملی است که منجر به از دست رفتن روز کاری می شود. در یک بررسی بزرگ، بیش از یک چهارم از بزرگسالان گزارش تجربه کمردرد در طی 3 ماه گذشته را داشته اند.
زنان و مردان به طور مساوی توسط تحت تاثیر کمردرد قرار می گیرند، که می تواند به شدت کسل کننده باشد درد مداوم ناگهانی، باعث ناتوانی شخص می شود. درد می تواند به طور ناگهانی به عنوان یک نتیجه از یک حادثه و یا با بلند کردن چیزی سنگین آغاز شود، یا آن را می توانید در طول زمان با توجه به تغییرات وابسته به سن از ستون فقرات داشته باشید. شیوه زندگی بی تحرک همچنین می تواند شرایط را برای کمر درد مهیا سازد، به ویژه هنگامی که روال هفتگی ورزش بیش از حد کم شده و در آخر هفته افزایش یابد.
رشته: ریاضی / مکانیک
On application of the Lanczos method to solution of some partial differential equations
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
چکیده
اجازه دهید یک مربع N متقارن X N ماتریس، ¢> یک بردار از IRN، و f یک تابع تعریف در یک بازه باشد A. مشکل محاسبه بردار U = F (A) ¢> را مطرح می سازد که اغلب در فیزیک ریاضی کاربرد دارد.
ما از روش زیر برای u محاسبه شده استفاده می کنیم. اول، انجام M مراحل روش Lanczos با A و ¢>.
روش تجزیه Lanczos طیفی (SLDM) راه حل را ارائه می کند، که در آن Q N X M ماتریس از متر بردار Lanczos است و H M X M ماتریس متقارن از روش Lanczos تعریف می شود. ما به دست آوردن این تخمین را برای مورد زمانی داریم که با استفاده از روش ساده Lanczos با توجه به خطا های موجود توسط کامپیوتر با ثبات ارائه می شود.
رشته: عمران / سازه
Seismic Assessment of Concentrically Braced Steel Frames with Shape Memory Alloy Braces
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
چکیده:
استفاده از فریم های ویژه concentrically محکم از سال 1994 نورتریج و 1995 Hyogoken-Nanbu زمین لرزه افزایش یافته است. با این حال، عملکرد گذشته نشان می دهد انعطاف پذیری محدود و اتلاف انرژی در سیستم های قاب محکم به علت کمانش از پرانتز معمولی است. به منظور رسیدگی به این محدودیت، سه و شش طبقه concentrically فریم با superelastic آلیاژ حافظه شکل محکم (SMA) پرانتز ها مورد مطالعه قرار برای ارزیابی عملکرد لرزه ای خود را در مقایسه با سیستم های سنتی است. SMAs آلیاژهای فلزی منحصر به فرد است که توانایی به انجام تغییر شکل های بزرگ در حالی که رجوع به شکل undeformed اصلی خود ارائه قابلیت های recentering به قاب محکم می باشد.
رشته: فناوری / نانو
Validation of Nano-CMOS Predictive Technology Model Tool on NanoHUB. org
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
مقدمه:
سیستم های الکترونیکی نسل بعدی نیاز به کسب راه حل های جدید نانو الکترونیکی همگام با قانون مور دارند. نانو CMOS (مکمل اکسید فلز-نیمه هادی ها) فن آوری است که در میان نویدبخش ترین فناوری نانو قرار می گیرد. اگر چه بیشتر فن آوری نانو الکترونیکی جدید هنوز در مراحل ابتدایی خود هستند، با این حال، آنها در حال حاضر پتانسیل سطح بی سابقه ای از ترکیب، محاسبات کم قدرت، پردازش سیگنال، ذخیره سازی اطلاعات و فرکانس عامل دارند که احتمالا بالاتر و مقرون به صرفه تر از راه حل های موجود می باشد [1، 2]. ماسفت پیشرفته (اکسید فلز-اثر میدان نیمه هادی ترانزیستور) سازه ها نشان می دهد، که برای پوسته پوسته شدن تکنولوژی CMOS در طول گیت کمتر از 10 نانومتر، فعال کردن پیشرفتهای مداوم در مدار مجتمع (IC) هزینه و عملکرد (به عنوان مثال، سرعت عامل بالاتر) حداقل به مدت 10 سال یا بیشتر خواهد بود. در طول سه دهه گذشته، با کاهش طول گیت ترانزیستور با هر نسل جدیدی از فن آوری تولیدی، بهبود مداوم در عملکرد مدار (سرعت) و هزینه هر تابع گزارش شده است [2]. با این حال، ادامه پوسته پوسته شدن ترانزیستور در آینده به سادگی گذشته نخواهد بود، چرا که مواد اساسی و محدودیت های فرآیند به سرعت در حال نزدیک شدن به هم می باشند.
چالش گسترش قانون مور فراتر از موانع فیزیکی و اقتصادی از فن آوری های نیمه هادی بوده و در حال حاضر خواستار راه حل جدید نانو الکترونیکی می باشد. فن آوری CMOS مبتنی بر سیلیکون می توان به نانومتر کوچک کمک کند. عملکرد بالا، مسطح، دستگاه بدنه نازک ساخته بر روی سیلیکون بر روی عایق بستر می باشد و به طول 15 گیت نانومتر [1، 2] نشان داده شده است. اثرات گرایش کریستال و زبری در تحرک حامل، کار گیت مهندسی تابع، عملکرد مدار، و حساسیت به تغییرات فرایند ناشی از عوامل مهم برای طراحی دستگاه ها در مقیاس نانو [3، 4] است. در این تحقیق، مدل های نانو CMOS مورد بررسی قرار گرفته و به تجزیه و تحلیل رفتار CMOS در مقیاس نانو می پردازد.
رشته: معماری /عمران
پانلهای سه بعدی چیست؟
عایق پشم سنگ و بضخامت های 5 تا 10 سانتیمتر می باشد.
رشته: برق الکترونیک
A New Gate Driver Integrated Circuit for IGBT Devices With Advanced Protections
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
چکیده
هدف از این مقاله بحث در مورد راه حل های جدید در طراحی گیت عایق ترانزیستور دوقطبی (IGBT) و درایور گیت با محافظت پیشرفته مانند دو سطح می باشد و به نوبه خود کاهش جریان پیک را هنگام روشن کردن دستگاه به همراه دارد، دو سطح به نوبه خود خاموش شده و برای محدود کردن بیش از حد ولتاژ هنگامی که دستگاه خاموش است، و میلر تابع گیره فعال در برابر پدیده های انتقال متقابل عمل می کنند. پس از آن، ما یک مدار جدید که شامل یک سطح با دو درایور خاموش و یک تابع گیره میلر می باشد خواهیم داشت. آزمایش و نتایج برای این عملکرد های پیشرفته مورد بحث، با تاکید خاص بر نفوذ در سطح متوسط در دو سطح خاموش درایور در حد خارج شدن در سراسر IGBT می باشد.